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外延结构/ epitaxial structure // epitaxial structure /

在单晶衬底（基片）上外延生长一些有一定要求的、与衬底具有相同晶格排列的单晶薄层结构。

界面电荷/ interface charge /interface charge
外延结构
在外延生长过程中，由于应变、位错或者杂质等因素使异质结界面处形成一定数量的面电荷。
选区外延/ selective area epitaxy /selective area epitaxy
外延结构
外延时对垂直于衬底表面方向进行选择性区域生长。又称横向外延。
预阱/ pre-quantum well /pre-quantum well
外延结构
在生长多量子阱有源区之前生长的量子阱结构。
多量子阱有源区/ multiple quantum well active layer /multiple quantum well active layer
外延结构
在异质结构外延材料中，尤其是光电子器件中，通过多层宽带隙-窄带隙-宽带隙的量子阱结构实现材料发光的结构。
n型掺杂/ n-type doping /n-type doping
外延结构
在常规的Ⅲ-Ⅴ族材料中，通过Ⅵ族材料取代Ⅲ族材料，或者Ⅵ族材料取代Ⅴ族材料，实现多一个电子的悬挂键，从而实现掺杂的过程。
缓冲层/ buffer layer /buffer layer
外延结构
在材料生长过程中的中间过渡层。
p型掺杂/ p-type doping /p-type doping
外延结构
在常规的Ⅲ-Ⅴ族材料中，通过Ⅱ族材料取代Ⅲ族材料，或者Ⅳ族材料取代Ⅴ族材料，实现少一个电子的悬挂键，从而实现掺杂的过程。
两步生长法/ two-step growth method /two-step growth method
外延结构
利用低温缓冲层和高温外延生长的方式，实现氮化物异质外延生长的方法。
效率下降效应/ efficiency droop effect /efficiency droop effect
外延结构
发光效率随注入电流的增加而下降的现象。
热稳定性/ thermal stability /thermal stability
外延结构
物体在温度的影响下的形变能力。

外延结构/ epitaxial structure // epitaxial structure /

界面电荷/ interface charge /interface charge

选区外延/ selective area epitaxy /selective area epitaxy

预阱/ pre-quantum well /pre-quantum well

多量子阱有源区/ multiple quantum well active layer /multiple quantum well active layer

n型掺杂/ n-type doping /n-type doping

缓冲层/ buffer layer /buffer layer

p型掺杂/ p-type doping /p-type doping

两步生长法/ two-step growth method /two-step growth method

效率下降效应/ efficiency droop effect /efficiency droop effect

热稳定性/ thermal stability /thermal stability