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半导体照明材料外延/ semiconductor lighting material epitaxy // semiconductor lighting material epitaxy /

用于制备半导体照明所用发光二极管（light emitting diode; LED）晶片的材料外延。

金属有机物化学气相沉积设备/ metal-organic chemical vapor deposition equipment /metal-organic chemical vapor deposition equipment
半导体照明材料外延
采用金属的有机化合物和气态元素进行化学反应，生长薄膜材料的先进制造设备。
氧化物半导体/ oxide semiconductor /oxide semiconductor
【化合物半导体】
具有半导体特性的一类氧化物。
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/ Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor /Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor
【化合物半导体】
由元素周期表中Ⅱ族元素和Ⅵ族元素形成的化合物半导体。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体/ Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor /Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor
【化合物半导体】
由元素周期表中Ⅲ族元素和V族元素形成的化合物半导体。
界面电荷/ interface charge /interface charge
外延结构
在外延生长过程中，由于应变、位错或者杂质等因素使异质结界面处形成一定数量的面电荷。
选区外延/ selective area epitaxy /selective area epitaxy
外延结构
外延时对垂直于衬底表面方向进行选择性区域生长。又称横向外延。
预阱/ pre-quantum well /pre-quantum well
外延结构
在生长多量子阱有源区之前生长的量子阱结构。
多量子阱有源区/ multiple quantum well active layer /multiple quantum well active layer
外延结构
在异质结构外延材料中，尤其是光电子器件中，通过多层宽带隙-窄带隙-宽带隙的量子阱结构实现材料发光的结构。
n型掺杂/ n-type doping /n-type doping
外延结构
在常规的Ⅲ-Ⅴ族材料中，通过Ⅵ族材料取代Ⅲ族材料，或者Ⅵ族材料取代Ⅴ族材料，实现多一个电子的悬挂键，从而实现掺杂的过程。
缓冲层/ buffer layer /buffer layer
外延结构
在材料生长过程中的中间过渡层。

半导体照明材料外延/ semiconductor lighting material epitaxy // semiconductor lighting material epitaxy /

金属有机物化学气相沉积设备/ metal-organic chemical vapor deposition equipment /metal-organic chemical vapor deposition equipment

氧化物半导体/ oxide semiconductor /oxide semiconductor

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/ Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor /Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体/ Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor /Ⅲ-Ⅴ compound semiconductor

界面电荷/ interface charge /interface charge

选区外延/ selective area epitaxy /selective area epitaxy

预阱/ pre-quantum well /pre-quantum well

多量子阱有源区/ multiple quantum well active layer /multiple quantum well active layer

n型掺杂/ n-type doping /n-type doping

缓冲层/ buffer layer /buffer layer