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半导体照明衬底/ substrate for semiconductor lighting // substrate for semiconductor lighting /

在半导体照明领域使用的衬底材料。

半极性衬底/ semipolar substrate /semipolar substrate
半导体照明衬底
氮化镓（GaN）半导体材料外延生长使用的表面与c轴不平行也不垂直，有一个0°～90°夹角的衬底材料。
蓝宝石图形衬底/ patterned sapphire substrate /patterned sapphire substrate
半导体照明衬底
在蓝宝石衬底表面进行图形化处理，形成表面起伏的图形的衬底材料。
玻璃衬底/ glass substrate /glass substrate
半导体照明衬底
在半导体照明领域，采用玻璃作为生长氮化物发光材料的基底层。
碳化硅衬底/ silicon carbide substrate /silicon carbide substrate
半导体照明衬底
在半导体照明领域，采用碳化硅（SiC）作为生长氮化物发光材料的基底层。
蓝宝石衬底/ sapphire substrate /sapphire substrate
半导体照明衬底
通过蓝宝石单晶晶锭的生长并加工成为半导体所使用的衬底材料。
极性衬底/ polar substrate /polar substrate
半导体照明衬底
氮化镓（GaN）半导体材料外延生长使用的表面是c面的衬底材料。
非极性衬底/ nonpolar substrate /nonpolar substrate
半导体照明衬底
氮化镓（GaN）半导体材料外延生长使用的表面与c轴平行的{1-100}面（m面）或{11-20面}（a面）的衬底材料。
氮化镓同质衬底/ gallium nitride homogeneous substrate /gallium nitride homogeneous substrate
半导体照明衬底
由镓（Ga）和氮（N）组成的单质氮化镓（GaN）衬底。
Si(100)图形衬底/ Si(100) patterned substrate /Si(100) patterned substrate
硅衬底
Si(100)平面单晶衬底经图形化及湿法腐蚀之后形成的部分Si(111)面裸露的非平面衬底。
硅衬底/ silicon substrate /silicon substrate
硅衬底
在半导体照明领域，采用硅作为生长氮化物发光材料的基底层。

半导体照明衬底/ substrate for semiconductor lighting // substrate for semiconductor lighting /

半极性衬底/ semipolar substrate /semipolar substrate

蓝宝石图形衬底/ patterned sapphire substrate /patterned sapphire substrate

玻璃衬底/ glass substrate /glass substrate

碳化硅衬底/ silicon carbide substrate /silicon carbide substrate

蓝宝石衬底/ sapphire substrate /sapphire substrate

极性衬底/ polar substrate /polar substrate

非极性衬底/ nonpolar substrate /nonpolar substrate

氮化镓同质衬底/ gallium nitride homogeneous substrate /gallium nitride homogeneous substrate

Si(100)图形衬底/ Si(100) patterned substrate /Si(100) patterned substrate

硅衬底/ silicon substrate /silicon substrate