分支
面发射半导体激光器/ surface emitting semiconductor laser // surface emitting semiconductor laser /
谐振腔两端的反射镜以及中间的增益有源区均由半导体材料外延生长构成，激光的出射方向垂直于外延层平面的激光器。
底面发射半导体激光器/ bottom surface emitting semiconductor laser /bottom surface emitting semiconductor laser
面发射半导体激光器激光从衬底一侧以垂直于有源区结平面方向出射的面发射的半导体激光器。
顶面发射半导体激光器/ top surface-emitting semiconductor lasers /top surface-emitting semiconductor lasers
面发射半导体激光器利用交替的高低反射率的分布布拉格反射镜（distributed bragg reflector，DBR）作为有源区两侧的包层形成垂直腔结构，在p型DBR上有一个圆形出光窗口，使得形成的光束垂直于衬底从顶部（p型DBR）激射的半导体激光器。掩埋隧道结面发射激光器/ buried tunnel junction surface emitting semiconductor laser/ Bburied tunnel junction vertical cavity surface emitting laser（BTJ-VCSEL） /buried tunnel junction surface emitting semiconductor laser/ Bburied tunnel junction vertical cavity surface emitting laser（BTJ-VCSEL）
【面发射半导体激光器结构】一种垂直腔面发射激光器。微结构面发射激光器/ microstructured vertical cavity surface emitting laser /microstructured vertical cavity surface emitting laser
【面发射半导体激光器结构】通过制备纳米或微米级的结构来改变或修饰器件的物性常数，实现特定光学性质或功能的面发射激光器。外腔面发射激光器/ external cavity surface emitting laser /external cavity surface emitting laser
【面发射半导体激光器结构】外腔面发射激光器综合了固体薄片激光器和面发射激光器的优点，获得高功率、高光束质量并且输出横磁模（0,0）的光，还可以在激光腔内插入相应光学元件进行腔内倍频、锁模、滤波以及可调谐等，被广泛用于激光显示领域、激光光谱学、大气探测、激光通信、医学刑侦技术和生命科学领域。晶片键合面发射激光器/ wafer bonded emitting surface laser /wafer bonded emitting surface laser
【面发射半导体激光器结构】晶片键合面发射激光器是将两种不同的晶体通过键合的方式作用在一起，实现不同晶片的合成，将这种合成的晶片作为工作物质的一种面发射激光器（VCSEL）。
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