分支
光学应用
内光电效应型成像器件/ internal photoelectric effect imaging device // internal photoelectric effect imaging device /
当光照射某物质时，若入射光子能量足够大，与物质的电子相互作用，在物质内部产生大量的电子-空穴对，导致物质自身特性发生变化的成像器件。
电子倍增电荷耦合器件/ electron multiplying charge coupled devices (EMCCD) /electron multiplying charge coupled devices (EMCCD)
内光电效应型成像器件一种作为光辐射接收器的固态元件。低照度电荷耦合器件/ low-light-level charge-coupled device /low-light-level charge-coupled device
内光电效应型成像器件能够在10-1～10-4lx微弱光景物照度下正常摄像的电荷耦合器件（CCD）。新材料焦平面微光成像器件/ new material focal plane imaging device /new material focal plane imaging device
内光电效应型成像器件焦平面微光成像红外焦品面阵列材料有铟钾砷、黑硅。2000年10月美国传感器公司推出了铟镓砷（InGaAs）短波红外（SWIR）焦平面列阵（FPA）微光像传感器。
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