微光夜视成像器件/ low-light-level night vision imaging device // low-light-level night vision imaging device /
在微弱可见光照度下或低辐射量非可见光条件下能够实现成像的光电成像器件。
超二代微光像增强器/ super the second generation image intensifier /super the second generation image intensifier
外光电效应型成像器件在二代微光像增强器的基础上，引入高灵敏度的（500～600微安/流明）多碱光电阴极的微光夜视成像器件。简称超二代管。近红外像增强器/ near infrared image intensifier /near infrared image intensifier
外光电效应型成像器件采用砷化镓铟为光电阴极，通过调节砷化镓铟中的铟含量，可供人眼直接观察或电荷耦合元件直接接收的器件。X射线像增强器/ X-ray photograph image intensifier /X-ray photograph image intensifier
外光电效应型成像器件一种将低辐射功率的X射线图像转换成可见光图像，并供人眼直接观察或电荷耦合元件直接接收的器件。二代微光像增强器/ the second generation image intensifier /the second generation image intensifier
外光电效应型成像器件采用了微通道板作为电子倍增器的微光夜视成像器件。一代微光像增强器/ the first generation image intensifier /the first generation image intensifier
外光电效应型成像器件一种外光电效应型成像器件。三代微光像增强器/ third generation low light level (LLL) image intensifier /third generation low light level (LLL) image intensifier
外光电效应型成像器件双近贴聚焦电子光学系统的MCP像增强器。由透射式NEA（负电子亲和势）GaAs光电阴极组件、带Al2O3离子壁垒膜的三代MCP和光纤面板荧光屏组件构成，光电阴极与MCP之间、MCP与荧光屏之间都为近贴结构。外光电效应型成像器件/ external photoelectric effect imaging device /external photoelectric effect imaging device
外光电效应型成像器件当光照射某物质时，若入射光子能量足够大，与物质内部电子相互作用，致使光电子逃逸出物质表面，进入外部真空环境中的成像器件。紫外像增强器/ ultra violet(uv) image intensifier /ultra violet(uv) image intensifier
外光电效应型成像器件能够将紫外图像转换成人眼可见或CCD可接收的可见光图像的器件。又称紫外变像管。
零代微光像增强器/ zero generation image intensifier /zero generation image intensifier
外光电效应型成像器件一种外光电效应型成像器件。又称红外变像管、变像管。电子倍增电荷耦合器件/ electron multiplying charge coupled devices (EMCCD) /electron multiplying charge coupled devices (EMCCD)
内光电效应型成像器件一种作为光辐射接收器的固态元件。
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