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探测率/ detectivity /detectivity
红外探测器
用来衡量探测器的探测能力的参量。
探测器制冷/ detector cooling /detector cooling
红外探测器
专为红外探测器配备专用的制冷设备。
响应率/ responsibility /responsibility
红外探测器
探测器的响应率是指探测器对每单位辐照功率产生的输出开路信号电压或电流大小。又称响应度。
红外探测器材料/ infrared detector material /infrared detector material
红外探测器材料
用于制造红外探测器的材料，包括光敏元材料和衬底材料，还根据探测器光敏元材料有：氧化钒、热释电、铁电等热电材料和铟镓砷、碲镉汞等半导体材料。
超导测辐射热计/ superconducting bolometer /superconducting bolometer
热探测器
利用超导体相变点附近电阻随温度急剧变化的特性，通过检测红外辐射热效应引起的超导体电阻随温度的变化来探测红外辐射的器件。
肖特基势垒红外探测器/ Schottky barrier infrared detector /Schottky barrier infrared detector
光子探测器
利用金属硅化物（如PtSi、Pd2Si、IrSi等）与半导体材料（如P-Si）接触形成阻挡层（即肖特基势垒）制成的一种光电二极管。又称肖特基势垒光电二极管、金属-半导体光电二极管。
雪崩型红外探测器/ avalanche infrared detector /avalanche infrared detector
光子探测器
利用光生载流子在PN结耗尽区的强电场中产生雪崩倍增效应来探测红外辐射的器件。又称雪崩光电二极管（APD）。
单光子红外探测器/ single photon infrared detector /single photon infrared detector
光子探测器
单光子红外探测器通常泛指具备探测单个光子能力的红外探测器。
量子点红外探测器/ quantum dot infrared detector /quantum dot infrared detector
光子探测器
利用吸收光子后电子在量子点的子带间跃迁引起的电导或电动势变化来探测红外辐射的探测器。
光伏型红外探测器/ photovoltaic infrared detector /photovoltaic infrared detector
光子探测器
有些半导体材料的PN结接受红外辐射后会在其两端产生电压，这就是半导体的光生伏特光电效应，利用该效应探测红外辐射的器件就称为光伏红外探测器。

探测率/ detectivity /detectivity

探测器制冷/ detector cooling /detector cooling

响应率/ responsibility /responsibility

红外探测器材料/ infrared detector material /infrared detector material

超导测辐射热计/ superconducting bolometer /superconducting bolometer

肖特基势垒红外探测器/ Schottky barrier infrared detector /Schottky barrier infrared detector

雪崩型红外探测器/ avalanche infrared detector /avalanche infrared detector

单光子红外探测器/ single photon infrared detector /single photon infrared detector

量子点红外探测器/ quantum dot infrared detector /quantum dot infrared detector

光伏型红外探测器/ photovoltaic infrared detector /photovoltaic infrared detector