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化学气相沉积/ chemical vapor deposition // chemical vapor deposition /

通过活化环境（热、光或等离子体）中使含有构成薄膜元素的挥发性化合物分解或与其他气相物质的化学反应产生非挥发性的固体物质并使之以原子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所要求材料的技术。简称CVD。

热化学气相沉积/ thermochemical vapour deposition /thermochemical vapour deposition
化学气相沉积
用热能激活所需气体或者气固相之间的反应从而形成一层薄膜的技术。简称热CVD、TCVD。
低压化学气相沉积/ low pressure chemical vapour deposition /low pressure chemical vapour deposition
化学气相沉积
反应室的工作压强低于0.1兆帕的化学气相沉积技术。简称LPCVD。
激光化学气相沉积/ laser induced chemical vapor deposition /laser induced chemical vapor deposition
化学气相沉积
由激光激发反应的化学气相沉积方法。简称LCVD。
热解化学气相沉积/ pyrolytic chemical vapor deposition /pyrolytic chemical vapor deposition
化学气相沉积
在简单的单温区炉中，在真空或惰性气体保护下加热基体至所需温度后导入反应气体使之发生热解反应，最后在基体上沉积出固相涂层的方法。
热丝化学气相沉积/ hot filament chemical vapor deposition /hot filament chemical vapor deposition
化学气相沉积
采用高温热丝分解前驱气体，通过调节前驱体组分对比和热丝温度而获得大面积的高质量沉积膜的方法。
微波等离子体化学气相沉积/ microwave plasma chemical vapor deposition; MPCVD /microwave plasma chemical vapor deposition; MPCVD
化学气相沉积
用微波放电产生等离子体进行化学气相沉积的方法。