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电离辐射半导体探测器/ ionizing radiation semiconductor detector // ionizing radiation semiconductor detector /

以半导体材料为探测介质的电离辐射探测器。通过辐射与介质的电离作用在灵敏体积内产生电子-空穴对，并在外加电场作用下形成漂移电流，收集的总电荷量与辐射在介质中损失的能量成正比。

硅半导体探测器/ silicon semiconductor detector /silicon semiconductor detector
电离辐射半导体探测器
采用硅作为主要材料进行辐射探测的半导体探测器。根据辐射探测要求，采用不同电阻率的高纯、高完整性、高少子寿命的硅单晶作为辐射探测介质，是种类最多和应用十分广泛的半导体探测器。
砷化镓探测器/ gallium arsenide detector /gallium arsenide detector
化合物半导体探测器
以砷化镓化合物为探测灵敏介质的半导体电离辐射探测器。
碲化镉探测器/ cadmium telluride detector /cadmium telluride detector
化合物半导体探测器
以碲化镉化合物为探测器灵敏介质的半导体电离辐射探测器。可在常温下使用，对射线的吸收系数高于锗和硅，具有较高的能量沉积率。
碳化硅探测器/ carborundum detector /carborundum detector
化合物半导体探测器
以碳化硅（SiC）化合物为探测灵敏介质的半导体电离辐射探测器。
碘化汞探测器/ mercuric iodide detector /mercuric iodide detector
化合物半导体探测器
以碘化汞化合物为探测灵敏介质的半导体探测器。
碲锌镉探测器/ cadmium zinc telluride detector /cadmium zinc telluride detector
化合物半导体探测器
禁带较宽，可以在室温下工作的一种碲酸镉和碲酸锌的合金半导体探测器。