8～14微米碲镉汞探测器材料/ mercury cadmium telluride materials for 8～14μm infrared detectors /mercury cadmium telluride materials for 8～14μm infrared detectors
光电导型探测材料用于制造8～14微米波段红外探测器的碲镉汞单晶体材料。3～5微米锑化铟探测器材料/ indium antimonide materials for 3～5μm infrared detector /indium antimonide materials for 3～5μm infrared detector
光电导型探测材料用于制造3～5微米波段红外探测器的光电导型探测器材料。1～3微米铅盐探测器材料/ lead salt materials for 1～3μm infrared detectors /lead salt materials for 1～3μm infrared detectors
光电导型探测材料用于制造1～3微米波段红外探测器的光电导型探测器材料。雪崩型探测器材料/ avalanche detector materials /avalanche detector materials
光生伏打型探测器材料在高偏压作用下，耗尽区能产生载流子雪崩倍增效应的光生伏打型探测器材料。
PN和PIN探测器材料/ PN or PIN detector materials /PN or PIN detector materials
光生伏打型探测器材料由对光照敏感的PN结或PIN结构成的光生伏打型探测器材料。光生伏打型探测器材料/ materials for photovoltaic detectors /materials for photovoltaic detectors
光生伏打型探测器材料具有光生伏打效应的光电探测器材料。
京公网安备 11010202008139号