金属-氧化物-半导体集成电路/ metal-oxide-semiconductor integrated circuit // metal-oxide-semiconductor integrated circuit /
以金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）器件为基础的单片集成电路。
高性能金属-氧化物-半导体集成电路/ high performance metal-oxide-semiconductor integrated circuit /high performance metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化，以达到高性能（速度快、功耗低、集成密度高）指标的硅栅N沟道金属-氧化物-半导体（negative channel metal-oxide-semiconductor，NMOS）集成电路。简称HMOS电路。增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路/ enhancement and depletion metal-oxide-semiconductor integrated circuit /enhancement and depletion metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路耗尽型金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器，并以这种反相器作为基本单元而构成的各种集成电路。简称E/D MOS电路。
双扩散金属-氧化物-半导体集成电路/ double diffused metal-oxide-semiconductor integrated circuit /double diffused metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路以双扩散金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）晶体管为基础的集成电路。简称DMOS电路。
V型槽金属-氧化物-半导体集成电路/ V-groove metal-oxide-semiconductor integrated circuit /V-groove metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路在硅片表面上刻蚀出V型凹槽，并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）集成电路。简称VMOS电路。
P沟道金属-氧化物-半导体集成电路/ positive channel metal-oxide-semiconductor integrated circuit /positive channel metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路以P沟道金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）场效应晶体管为基本元件的集成电路。简称PMOS电路。
N沟道金属-氧化物-半导体集成电路/ negative channel metal-oxide-semiconductor integrated circuit /negative channel metal-oxide-semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路以N沟道金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）场效应晶体管为基本元件的集成电路。简称NMOS电路。
互补金属氧化物半导体集成电路/ complementary metal oxide semiconductor integrated circuit /complementary metal oxide semiconductor integrated circuit
金属-氧化物-半导体集成电路基本单元电路反相器由N沟道和P沟道金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作，能实现一定逻辑功能的集成电路。简称CMOS电路。
互补金属氧化物半导体电路/ complementary metal oxide semiconductor circuit /complementary metal oxide semiconductor circuit
金属-氧化物-半导体集成电路基本单元电路反相器由N沟道和P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作，能实现一定逻辑功能的集成电路。金属-氧化物-半导体静态随机存储器/ metal-oxide-semiconductor static random access memory /metal-oxide-semiconductor static random access memory
金属-氧化物-半导体静态随机存储器具有静态存储信息功能的金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor; MOS）随机存储器。
金属-氧化物-半导体动态随机存储器/ metal-oxide-semiconductor dynamic random access memory /metal-oxide-semiconductor dynamic random access memory
金属-氧化物-半导体动态随机存储器具有动态存储信息功能的金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor，MOS）随机存储器。
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